7月8日—11日，第二十三屆全國半導體物理學術會議在西安舉辦。本次會議由西安電子科技大學、中國物理學會半導體物理專業(yè)委員會、中國科學院半導體研究所、中共陜西省委軍民融合發(fā)展委員會辦公室、陜西省科學技術廳、陜西省科學技術協(xié)會共同主辦。大會主席由李樹深院士和郝躍院士共同擔任，會議組委會主任由半導體物理專業(yè)委員會主任王開友研究員擔任，祝世寧院士、黃維院士、俞大鵬院士、黃如院士、江風益院士、崔鐵軍院士、廈門大學校長張榮教授、02專項總師葉甜春研究員及200家高校、科研院所及企業(yè)人員參加大會。

我所總工恩云飛研究員受邀與天津工業(yè)大學趙麗霞教授、西北核技術研究所郭紅霞研究員、中科院長春光機所劉雷研究員、西安電子科技大學鄭雪峰教授共同主持大會的“專題 12. 半導體材料與器件可靠性物理”。重點實驗室高汭博士做“考慮漲落的納米MOSFET偏壓溫度不穩(wěn)定性建模和壽命預測”邀請報告，章曉文研究員做“集成電路中連接通孔的可靠性檢測方法研究”口頭報告。

通過參加本次全國半導體物理學術會議，向行業(yè)宣傳了我所在半導體器件可靠性領域的最新科研成果。在會議的現(xiàn)場交流中，與行業(yè)內(nèi)的專家學者探討了共同關心的技術問題和未來可能合作的科研方向，并邀請部分行業(yè)專家有空時到五所做技術交流，為下一步科研合作打下良好基礎。

全國半導體物理學術會議是由中國物理學會半導體物理專業(yè)委員會主辦的全國性會議，最早由已故世界著名物理學家、國家最高科學技術獎獲獎者黃昆院士于1978年倡導召開，每兩年舉行一次（奇數(shù)年召開），與兩年一次的國際半導體物理會議（偶數(shù)年召開）交錯進行。會議宗旨是促進國內(nèi)半導體物理研究領域的學術交流，把握國際重大前沿領域的發(fā)展動向，提升國內(nèi)半導體物理及相關學科的國際影響力。