2021年7月29日，國際電氣電子工程師學會電子元器件廣州分會（以下簡稱IEEE EDS 廣州分會）成功組織召開了第二十屆國際學術研討會，本次會議采用“線上直播+線下會議”相結合的方式進行，由我所電子元器件可靠性物理及其應用技術重點實驗室和IEEE EDS聯(lián)合主辦，所科技委協(xié)辦。來自臺灣清華大學、臺灣交通大學、香港大學、華南理工大學、中山大學、廣東工業(yè)大學、電子五所等單位的研究學者和工程師參加了此次會議。

本次研討會由IEEE EDS廣州分會主席、所總工程師、研究員恩云飛組織召開，會議方邀請3名IEEE EDS杰出講師和1名 IEEE會員作微電子前沿技術的發(fā)展報告。專家們分別從高性能的MOSFET 和 FinFET器件設計、CMOS RF器件以及多陣列AI存儲器設計、器件及系統(tǒng)的未來技術演變趨勢以及對納米MOSFET的建模和壽命預測4個前沿方向作了系統(tǒng)性的介紹，參會者進行了熱烈地討論和交流。

IEEE EDS廣州分會為我所科研人員提供了一個良好的交流與合作平臺，促進我所在國際上微電子器件可靠性研究領域的知名度和影響力不斷提升。