由工業(yè)和信息化部電子第五研究所（以下簡(jiǎn)稱電子五所）元器件可靠性國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室牽頭編制，行業(yè)專業(yè)單位參與，經(jīng)中國(guó)電子學(xué)會(huì)批準(zhǔn)，《復(fù)雜組件封裝關(guān)鍵結(jié)構(gòu)壽命評(píng)價(jià)方法》、《半導(dǎo)體器件可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)方法》、《輻射誘生缺陷的深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試方法》等7項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)于2022年12月31日正式發(fā)布，于2023年1月31日正式實(shí)施。

       此次發(fā)布的7項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，主要面向各類重要和新型半導(dǎo)體器件，針對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量可靠性方面的測(cè)試和試驗(yàn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化的需求，總結(jié)科研和技術(shù)開(kāi)發(fā)的成果，形成電子學(xué)會(huì)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，以期為相關(guān)產(chǎn)品的質(zhì)量可靠性工作提供支撐。各標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容簡(jiǎn)要介紹如下：

1、T/CIE 143—2022《復(fù)雜組件封裝關(guān)鍵結(jié)構(gòu)壽命評(píng)價(jià)方法》

規(guī)定了復(fù)雜組件封裝關(guān)鍵結(jié)構(gòu)壽命評(píng)價(jià)方法，包括芯片凸點(diǎn)、芯片底填膠、鍵合絲、板級(jí)互連等關(guān)鍵封裝結(jié)構(gòu)的應(yīng)力分析和綜合可靠性評(píng)價(jià)，適用于封裝結(jié)構(gòu)薄弱環(huán)節(jié)分析和可靠性仿真評(píng)價(jià)。起草單位：電子五所、中國(guó)電科58所、中科院微電子所等。主要起草人：陳思、薛海紅、周斌等。

2、T/CIE 144—2022《半導(dǎo)體器件可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)方法》

規(guī)定了半導(dǎo)體器件可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)方法及半導(dǎo)體元器件強(qiáng)化試驗(yàn)的一般步驟、相關(guān)要求、方法及參數(shù)監(jiān)測(cè)等。適用于半導(dǎo)體分立器件、集成電路、微波器件的可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)指導(dǎo)。適用于研制單位和用戶采取改進(jìn)措施來(lái)消除缺陷，提升產(chǎn)品可靠性。起草單位：電子五所、航空工業(yè)第一飛機(jī)設(shè)計(jì)研究院。主要起草人：楊少華、顏佳輝、薛海紅等。

3、T/CIE 145—2022《輻射誘生缺陷的深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試方法》

規(guī)定了利用電容瞬態(tài)深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試輻射誘生缺陷的方法和程序，適用于包含P-N結(jié)、肖特基結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中輻射誘生深能級(jí)缺陷的測(cè)試。起草單位：電子五所、哈爾濱工業(yè)大學(xué)。主要起草人：彭超、雷志鋒、何玉娟等。

4、T/CIE 146—2022《微機(jī)電（MEMS）器件晶圓鍵合試驗(yàn)評(píng)價(jià)方法》

規(guī)定了對(duì)MEMS器件晶圓鍵合開(kāi)展試驗(yàn)評(píng)價(jià)的方法和程序，適用于基于晶圓鍵合工藝加工的MEMS器件，包括MEMS器件成品結(jié)構(gòu)、晶圓鍵合工藝過(guò)程結(jié)構(gòu)等。起草單位：電子五所、北京大學(xué)、中國(guó)兵器工業(yè)第二一四研究所。主要起草人：董顯山、來(lái)萍、韋覃如等。

5、T/CIE 147—2022《空間行波管加速壽命試驗(yàn)評(píng)估技術(shù)規(guī)范》規(guī)定了空間行波管加速壽命試驗(yàn)及基于此試驗(yàn)的壽命評(píng)估技術(shù)規(guī)范，適用于空間行波管的壽命評(píng)估以期推進(jìn)空間行波管的研究與發(fā)展。起草單位：電子五所、電子科技大學(xué)。主要起草人：宋芳芳、王鐵羊、宮玉彬等。

6、T/CIE 148—2022《阻變存儲(chǔ)單元電學(xué)測(cè)試規(guī)范》

規(guī)定了阻變存儲(chǔ)單元擦寫、耐久性和數(shù)據(jù)保持等測(cè)試方法，其結(jié)果用于表征阻變存儲(chǔ)器的電學(xué)特性，適用于阻變存儲(chǔ)器器件的測(cè)試，用于測(cè)試器件單元特性，不適用于包含外部驅(qū)動(dòng)電路的存儲(chǔ)單元。本標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)將阻變存儲(chǔ)單元的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)化，以推進(jìn)阻變存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。起草單位：電子五所、廣東工業(yè)大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所等。主要起草人：雷登云、韋覃如、張峰鋒等。

7、T/CIE 150—2022《現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）芯片時(shí)序可靠性測(cè)試規(guī)范》

規(guī)定了FPGA芯片時(shí)序可靠性測(cè)試，包含了硬核IP、接口IP、互聯(lián)等模塊的時(shí)序可靠性評(píng)估方法，用以保障FPGA滿足預(yù)定用途所需的時(shí)序穩(wěn)定性要求。起草單位：電子五所、黃河科技學(xué)院、廣東工業(yè)大學(xué)等。主要起草人：雷登云、余永濤、楊東等。