由工業(yè)和信息化部電子第五研究所（以下簡稱電子五所）元器件可靠性國家級重點實驗室牽頭編制，聯(lián)合行業(yè)專業(yè)單位參與，經(jīng)中國電子學(xué)會批準(zhǔn)，《電子元器件失效機理、模式及影響分析（FMMEA）通用方法和程序》《電子元器件故障樹分析方法和應(yīng)用方法》《MEMS器件沖擊可靠性試驗方法》等7項標(biāo)準(zhǔn)于2021年11月22日發(fā)布，于2022年2月1日實施，現(xiàn)正式印刷出版。

       此次發(fā)布的7項標(biāo)準(zhǔn)，主要面向電子元器件、半導(dǎo)體器件在質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)化方面的需求，總結(jié)實驗室多年的科研和技術(shù)開發(fā)成果，形成可靠性分析、測試及評價等方面的電子學(xué)會團體標(biāo)準(zhǔn)，可以為開展相關(guān)產(chǎn)品的質(zhì)量可靠性工作提供支撐。各標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容簡要介紹如下：

1、T/CIE 115—2021《電子元器件失效機理、模式及影響分析（FMMEA）通用方法和程序》

規(guī)定了對電子元器件進行失效機理、模式及其影響分析（FMMEA）的通用方法和程序。本標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布是對系統(tǒng)及整機級的FMEA標(biāo)準(zhǔn)的有效補充，適用于電子元器件在設(shè)計和應(yīng)用階段的潛在失效問題識別，并預(yù)先采取有效的預(yù)防措施；從而支撐元器件的可靠性設(shè)計、生產(chǎn)工藝控制以及整機用戶的可靠性應(yīng)用。起草單位：電子五所、中國電科55所、電子科技大學(xué)。主要起草人：來萍、陳媛、何小琦等。

2、T/CIE 116—2021《電子元器件故障樹分析方法與程序》

規(guī)定了基于失效物理的電子元器件故障樹建樹方法及故障樹分析程序。描述了以故障樹為載體的電子元器件故障信息庫構(gòu)建方法。適用于電子元器件在設(shè)計、研制、生產(chǎn)和使用階段進行故障樹建造和失效路徑分析，其結(jié)果可用于電子元器件的質(zhì)量歸零問題分析、可靠性設(shè)計分析和應(yīng)用風(fēng)險分析。起草單位：電子五所。主要起草人：何小琦、陳媛、恩云飛等。

3、T/CIE 117—2021《MEMS器件機械沖擊試驗方法》。

規(guī)定了MEMS器件在加電和不加電狀態(tài)下的機械沖擊試驗方法的技術(shù)要求、試驗程序和檢驗評價規(guī)則等。目的在于評估MEMS器件在裝卸、運輸和使用環(huán)境中，由于瞬時受力或者運動狀態(tài)突然發(fā)生變化而產(chǎn)生瞬間機械沖擊時的抗沖擊能力。適用于MEMS器件的研制、生產(chǎn)和產(chǎn)品鑒定驗收等階段，適用的機械沖擊脈沖寬度范圍0.05ms～30 ms，峰值范圍5g～30,000g。起草單位：電子五所、東南大學(xué)、中國科學(xué)院微電子研究所。主要起草人：黃欽文、來萍、董顯山等。

4、T/CIE 118—2021《多熱源組件（MCM/SiP）熱性能指標(biāo)及評價方法》

規(guī)定了多熱源組件（MCM/SiP）的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)熱性能表征參數(shù)，包括：結(jié)溫矩陣、熱阻矩陣、熱特性參數(shù)和瞬態(tài)熱阻抗等，以及這些熱性能表征參數(shù)的指標(biāo)要求和檢測評價方法。適用于混合集成電路（HIC）、多芯片組件（MCM）、系統(tǒng)級封裝（SiP）組件等多熱源組件的熱性能指標(biāo)制定，及多熱源組件的熱性能檢測、熱設(shè)計和可靠性設(shè)計分析與驗證。起草單位：電子五所。起草人：何小琦，周斌，黃云等。

5、T/CIE 119—2021《半導(dǎo)體器件大氣中子單粒子效應(yīng)試驗方法與程序》

規(guī)定使用散裂中子源對半導(dǎo)體器件進行大氣中子單粒子效應(yīng)加速試驗的方法與程序。適用于航空、地面等應(yīng)用環(huán)境中半導(dǎo)體集成電路和分立器件的中子單粒子效應(yīng)敏感性檢測試驗。中子來源于初始高能宇宙射線與大氣的相互作用，主要為熱中子和能量高于1MeV的高能中子。不適用于α粒子引起的單粒子效應(yīng)。

起草單位：電子五所、中國民用航空適航審定中心、散裂中子源科學(xué)中心等。主要起草人：張戰(zhàn)剛、雷志鋒、黃云等。

6、T/CIE 120—2021《半導(dǎo)體集成電路硬件木馬檢測方法》

規(guī)定了對半導(dǎo)體集成電路開展硬件木馬檢測的方法和程序，適用于自主設(shè)計但制造過程非受控的集成電路的硬件木馬檢測，可用于集成電路的提供者、使用者和第三方評價集成電路產(chǎn)品的安全。起草單位：電子五所、國防科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)。主要起草人：王力緯、侯波、雷登云等。

7、T/CIE 121—2021《逆導(dǎo)型IGBT的熱阻測試方法》

規(guī)定了逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）器件的穩(wěn)態(tài)熱阻和瞬態(tài)熱阻的電學(xué)法測試的基本原理和方法。本標(biāo)準(zhǔn)以IGBT中體二極管導(dǎo)通電壓為熱敏參數(shù)，建立適用于逆導(dǎo)型 IGBT器件的熱阻測試電路和方法，規(guī)范逆導(dǎo)型IGBT的熱阻測試流程，提高測試準(zhǔn)確性。

起草單位：電子五所、電子科技大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)等。主要起草人：陳媛、來萍、何小琦等。

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