近日，由工業(yè)和信息化部電子第五研究所（以下簡稱“電子五所”）牽頭承擔(dān)的國家重點研發(fā)計劃“國家質(zhì)量基礎(chǔ)設(shè)施體系”（NQI）重點專項“硅通孔三維集成質(zhì)量與可靠性評價關(guān)鍵技術(shù)研究”項目啟動會在電子五所增城總部順利召開。項目專家組9位專家現(xiàn)場和線上出席會議，國家市場監(jiān)督總局領(lǐng)導(dǎo)，我所副所長胡湘洪、有關(guān)部門負(fù)責(zé)人，項目各課題負(fù)責(zé)人與項目組骨干等20余人參加了此次會議。

本項目匯聚了電子五所、西安電子科技大學(xué)、北京郵電大學(xué)、中國科學(xué)院微電子研究所、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、國網(wǎng)浙江電力有限公司等六家高校、研究所和重點企業(yè)的優(yōu)秀研究人員，我所重點實驗室路國光研究員任項目負(fù)責(zé)人。后摩爾時代，先進(jìn)封裝已經(jīng)成為了維持芯片性能提升的一條重要技術(shù)路線，作為其中核心技術(shù)，TSV三維集成技術(shù)具有重大戰(zhàn)略地位。此項目聚焦我國TSV三維集成產(chǎn)品面臨的缺陷定位手段缺失、新材料新結(jié)構(gòu)引入的新機理不清、缺乏統(tǒng)一的檢測和評價標(biāo)準(zhǔn)等問題，圍繞如何提高檢測精度、檢測效率和可靠性評價水平等相關(guān)的關(guān)鍵科學(xué)問題開展技術(shù)攻關(guān)，項目預(yù)期在基于電學(xué)與微納成像機制的缺陷識別與分段—分類協(xié)同定位技術(shù)、基于失效物理的多應(yīng)力耦合可靠性仿真及評價等關(guān)鍵技術(shù)方面取得突破，形成具有影響力的原創(chuàng)性理論成果，制定體系化相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)，研究搭建系統(tǒng)性的分析測試平臺，提升我國TSV產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性水平，引領(lǐng)行業(yè)健康發(fā)展。
此次會議圓滿落幕之后，各承研單位之間將更加緊密地合作，實現(xiàn)優(yōu)勢互補，協(xié)調(diào)共進(jìn)，力求高質(zhì)量完成項目各項研究任務(wù)。