由我所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室牽頭編制的2項(xiàng)團(tuán)標(biāo)SiC MOSFET DRB試驗(yàn)方法和DH3TRB試驗(yàn)方法，以及參與編制的7項(xiàng)相關(guān)SiC MOSFET測(cè)試與可靠性相關(guān)系列團(tuán)標(biāo)，經(jīng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）審批，于2024年11月19日正式發(fā)布并實(shí)施。

這一系列標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布，構(gòu)建了SiC MOSFET從關(guān)鍵參數(shù)測(cè)試到極端工況驗(yàn)證的完整評(píng)價(jià)體系，覆蓋了從器件特性到實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景的全生命周期測(cè)試驗(yàn)證需求，填補(bǔ)了SiC MOSFET在高頻、高溫、高濕等復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景下的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)空白，為SiC MOSFET功率器件提供一套科學(xué)、合理的測(cè)試與評(píng)估方法，支撐產(chǎn)品性能提升，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。