5月30日上午，國際電子電氣工程師協(xié)會(huì)（IEEE）電子器件學(xué)會(huì)（EDS）廣州分會(huì)2013年度第一次研討會(huì)（Mini-colloquium）在我所舉行。本次會(huì)議由IEEE資助，我所科技委和重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室承辦。我所是IEEE EDS廣州分會(huì)的掛靠單位。

本次會(huì)議緊緊圍繞“微電子器件可靠性物理與評(píng)估技術(shù)”展開研討。會(huì)議邀請(qǐng)IEEE杰出講師Fernando Guarin博士及我所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳義強(qiáng)博士進(jìn)行大會(huì)報(bào)告。Fernando Guarin博士是IBM微電子部半導(dǎo)體研發(fā)中心的高級(jí)工程師和科學(xué)家，IEEE Fellow，IEEE EDS學(xué)會(huì)秘書長(zhǎng)，在微電子可靠性領(lǐng)域工作了30多年，于1980年-1988年在國家半導(dǎo)體公司軍用和宇航部工作，1988年加入IBM微電子工作至今，主要工作為先進(jìn)的雙極型、CMOS及鍺硅技術(shù)的可靠性物理和建模；他目前正領(lǐng)導(dǎo)IBM 14nm工藝CMOS技術(shù)的鑒定工作，在微電子可靠性領(lǐng)域有豐富的經(jīng)驗(yàn)；Guarin博士作了“CMOS器件質(zhì)量可靠性前沿技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)”的講座，主要介紹在CMOS器件在納米尺寸效應(yīng)下帶來的可靠性挑戰(zhàn)，如熱載流子、偏置電壓下的溫度穩(wěn)定性、高K金屬柵可靠性問題、SRAM的開關(guān)行為等等，綜合全面地論述了納米尺寸下CMOS集成電路的可靠性問題及其前沿技術(shù)趨勢(shì)。陳義強(qiáng)博士作了“微納米器件可靠性物理建模及預(yù)警實(shí)現(xiàn)”報(bào)告，他展望了微電子器件可靠性技術(shù)從材料與器件、物理建模、故障診斷和健康管理（PHM）技術(shù)的發(fā)展；結(jié)合他前期的研究工作，介紹了納米鐵電存儲(chǔ)器的失效機(jī)理研究、器件可靠性物理建模等工作，研究成果在《Applied Physics Letters》、《IEEE Electron Device Letters》等國際頂級(jí)期刊上發(fā)表，得到了雜志評(píng)委高度評(píng)價(jià)；針對(duì)集成電路電遷移、HCI等主要失效機(jī)理，陳博士開展IC預(yù)警電路的設(shè)計(jì)，并流片驗(yàn)證，申請(qǐng)了國內(nèi)發(fā)明專利和國際發(fā)明專利；這是我所在微電子可靠性研究領(lǐng)域的重大進(jìn)步，與國際先進(jìn)水平同步。

研討會(huì)上講師和參會(huì)人員積極互動(dòng)，促進(jìn)了我所與國外微電子可靠性物理和評(píng)價(jià)技術(shù)的學(xué)術(shù)交流，學(xué)術(shù)氣氛熱烈。Guarin博士表示，屆時(shí)將參加我所承辦的2014年ICQRMS國際會(huì)議并做報(bào)告。

據(jù)悉，IEEE EDS2013年度第二次研討會(huì)將于7月15日舉辦，屆時(shí)IEEE EDS副主席、美國中佛羅里達(dá)大學(xué)Juin J.Liou教授和IEEE Fellow、臺(tái)灣交通大學(xué)的莊紹動(dòng)教授將做講座報(bào)告。

 （重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、科技委）