7月15日上午，我所舉辦了國際電子電氣工程師協(xié)會（IEEE）電子器件學(xué)會（EDS）廣州分會第八屆研討會（Mini-colloquium）。我所是IEEE EDS廣州分會的掛靠單位，本次會議由IEEE資助，由所科技委和重點實驗室承辦。會議邀請到IEEE EDS杰出講師劉俊杰（Juin J.Liou）教授和莊紹動（Steve S.Chung）教授進(jìn)行學(xué)術(shù)報告，會議的主題為“微電子器件可靠性物理與評估技術(shù)”。

劉俊杰教授是美國中佛羅里達(dá)大學(xué)飛馬學(xué)者、IEEE Fellow、IEEE EDS分會副主席，獲得了美國聯(lián)邦機(jī)構(gòu)、工業(yè)界大量的經(jīng)費資助，在學(xué)術(shù)界和微電子業(yè)界享有盛譽。他在美國、中國、日本、臺灣、新加坡多家實驗室和公司擔(dān)任顧問，還是中國長江學(xué)者，在浙江大學(xué)、北京大學(xué)等高校的特聘教授。劉教授研究方向為射頻器件建模與仿真、ESD防護(hù)設(shè)計與模擬，在ESD設(shè)計方面擁有豐富經(jīng)驗。劉教授做了“高壓硅BiCMOS/BCD器件的靜電放電保護(hù)技術(shù)”的學(xué)術(shù)報告，針對汽車芯片的高壓電路ESD保護(hù)、開態(tài)電阻、ESD魯棒性、閂鎖等問題，介紹了高壓電路ESD設(shè)計要求、設(shè)計挑戰(zhàn)、以及相關(guān)的設(shè)計方法如可控硅結(jié)構(gòu)（SCR）保護(hù)電路、分段法、堆疊法、GGNMOS+SCR方法、電容耦合法等。劉教授深入淺出，將復(fù)雜的設(shè)計問題以簡單易懂方式講述，并輔以詳細(xì)設(shè)計案例，使得參會人員受益匪淺。

莊紹動（Steve S.Chung）教授是臺灣交通大學(xué)教授、IEEE Fellow、臺聯(lián)電（UMC）的講席教授，他曾擔(dān)任臺積電（TSMC）和臺聯(lián)電（UMC）的顧問，負(fù)責(zé)咨詢CMOS和閃存技術(shù)，具有豐富的技術(shù)和行業(yè)經(jīng)驗。他目前的研究方向為：納米器件，界面特性和可靠性建模，硅基生物器件。莊教授的報告題目是“高性能高可靠性應(yīng)力CMOS器件的開發(fā)指南”。隨著摩爾定律的延伸，硅基應(yīng)變GeSi器件已經(jīng)在高速、低功耗器件中應(yīng)用，但器件的應(yīng)力會加速器件驅(qū)動電流的退化。莊教授介紹了硅基應(yīng)變器件的相關(guān)失效機(jī)理、精密的可靠性評估方法如電荷泵測量、柵二極管測量等方法，以及在性能和可靠性方面相權(quán)衡的設(shè)計方法。

本次研討參會人員50余人，主要是來自我所的科技人員、華南理工大學(xué)和廣東工業(yè)大學(xué)的研究生。借助IEEE EDS研討會這個平臺，與國外的知名教授或研究人員建立了定期溝通的渠道，了解了國外器件可靠性研究最新動態(tài)，促進(jìn)了我所在該方面研究的進(jìn)步。

 （重點實驗室、科技委）